EG2104M 是屹晶微電子推出SOP8 封裝單相半橋柵極驅動芯片用于驅動 N 溝道 MOS/IGBT耐壓 600V自帶硬件關斷SD、內置死區、VCC/VB 雙欠壓保護單路 PWM 輸入控制半橋上下管國產替代 IR2104廣泛用于電機、開關電源、D 類功放等場合。一、核心特性高壓懸浮驅動高端自舉懸浮最高耐壓 600V單路 VCC 供電完成上下 N?MOS 驅動無需獨立上管電源。邏輯電平兼容支持 3.3V/5V 單片機 IO 直接驅動輸入引腳 IN、SD內置200kΩ 下拉電阻輸入懸空自動關斷 MOS防止上電誤動作。驅動電流拉電流 IO 0.3A灌電流 IO?0.6A圖騰柱輸出最高開關頻率500kHz。內置死區死區時間典型 620ns500?800ns硬件避免上下管直通無需軟件做死區雙路欠壓保護VCC低端電源、VB自舉懸浮電源都帶欠壓鎖存電壓不足自動關閉輸出硬件關斷SD低電平有效無論 IN 信號是什么強制 HO、LO 輸出低電平實現快速硬件保護關斷VCC 供電范圍10?20V典型 15VSOP?8RoHS 無鉛無鹵。二、引腳定義引腳名稱類型功能說明1VCC電源芯片供電10?20V就近接 0.1μF 高頻去耦電容到 GND2IN輸入PWM 邏輯輸入1→HO 高、LO 低0→HO 低、LO 高內置 200k 下拉3SD輸入硬件關斷低電平有效1 芯片允許工作0 強制 HO/LO 全部拉低內置 200k 下拉4GND地芯片功率地5LO輸出低端 MOS 柵極驅動輸出下管6VS信號高端懸浮地接半橋中點上下 MOS 連接點7HO輸出高端 MOS 柵極驅動輸出上管8VB電源自舉懸浮電源VS?VB 之間接自舉電容VCC?VB 接自舉二極管三、邏輯真值表INSDHO (上管輸出)LO (下管輸出)工作狀態X000硬件關斷上下管全部關閉0101下管導通上管關斷1110上管導通下管關斷重點SD優先級最高。MCU 上電建議先置SD0初始化完成后再拉高SD避免上電瞬間 MOS 誤開啟。四、內部結構與工作原理芯片內部模塊輸入緩沖帶 200k 下拉→邏輯與死區控制電路→欠壓檢測VCC、VB→電平位移把邏輯電平抬到懸浮 600V 域→脈沖濾波→兩路圖騰柱輸出驅動器。自舉電路原理最關鍵外圍只給芯片一路 VCC 供電依靠自舉二極管 D3 自舉電容 Cboot產生上管懸浮電源 VB下管導通LO 高VS 電位被拉到接近 GNDVCC 通過自舉二極管給自舉電容充電電容兩端電壓≈VCC。上管導通HO 高VS 抬升到高壓母線電壓電容儲存電壓維持 VB 相對于 VS 的驅動電壓驅動高端 N?MOS 柵極。器件選型提示自舉二極管必須選快恢復二極管自舉電容優先 C0G/NP0 高頻電容容值根據 MOS 管柵電荷 Qg 選取。2.死區時間 DT內部硬件生成死區在上下管切換時插入幾百 ns 間隔防止半橋直通燒毀功率管典型 DT620ns不需要軟件設置死區。3.欠壓保護 UVLOVCC 欠壓開啟 8.6V關斷 8.1V。當 VCC 低于關斷閾值芯片鎖存關閉 HO、LO 輸出。VB 自舉電源欠壓開啟 7.8V關斷 7.6V當自舉電容電壓跌落過低關閉上管輸出保護 MOS 驅動不足。五、關鍵電氣參數TA25℃、VCC15VCL1nF參數典型值備注輸入高電平 VIH≥2.8VMCU 輸出高電平必須≥2.8V 才能識別 1輸入低電平 VIL≤1.5V開通延時 Ton800nsIN 到 HO/LO 輸出開通延時關斷延時 Toff160nsIN 到 HO/LO 關斷延時上升時間 Tr75ns輸出上升沿 10%?90%下降時間 Tf35ns輸出下降沿 90%?10%死區 DT620nsCL0 條件下靜態 Icc100μA輸入懸空時芯片電流拉 / 灌電流0.3A /0.6A柵極充放電峰值電流極限參數VB 最高 600VVCC 最大 20V工作溫度?40~125℃。六、應用場景無刷電機半橋驅動、變頻水泵DC?DC 變換器、高壓快充開關電源無線充電功率驅動高壓 Class?D 音頻功放。七、PCB 與設計注意事項VCC 引腳就近放置 0.1μF 高頻去耦電容直接到 GND減小噪聲HO、LO 到 MOS 柵極走線盡量短柵極串聯電阻 Rg10?50Ω抑制柵極振鈴MOS GS 之間可并聯 10k?20k 泄放電阻自舉二極管、自舉電容靠近 VB、VS 引腳減小環路VS 節點是高壓浮動節點和 GND 之間注意絕緣爬距SD上電初始為低電平IN 懸空時內置下拉自動關閉輸出但是工程上建議 MCU 引腳不要懸空芯片最大 500kHz高頻應用注意總延時TonToff對 PWM 精度的影響。八、對比 IR2104EG2104M 為國產兼容型號SOP8 引腳兼容區別EG2104M 是單 IN 輸入 獨立 SD 硬件關斷腳IR2104 為 HIN/LIN 雙輸入邏輯替換時要修改邏輯控制方式利用 SD 做硬件保護成本更低。局限拉電流僅 0.3A適合中小 Qg 的 MOS驅動大柵電荷 MOS 時要注意開關損耗必要時加大柵極驅動電壓或選擇驅動電流更大芯片。 EG2104M 柵極驅動芯片簡介
EG2104M 是屹晶微電子推出SOP8 封裝單相半橋柵極驅動芯片用于驅動 N 溝道 MOS/IGBT耐壓 600V自帶硬件關斷SD、內置死區、VCC/VB 雙欠壓保護單路 PWM 輸入控制半橋上下管國產替代 IR2104廣泛用于電機、開關電源、D 類功放等場合。一、核心特性高壓懸浮驅動高端自舉懸浮最高耐壓 600V單路 VCC 供電完成上下 N?MOS 驅動無需獨立上管電源。邏輯電平兼容支持 3.3V/5V 單片機 IO 直接驅動輸入引腳 IN、SD內置200kΩ 下拉電阻輸入懸空自動關斷 MOS防止上電誤動作。驅動電流拉電流 IO 0.3A灌電流 IO?0.6A圖騰柱輸出最高開關頻率500kHz。內置死區死區時間典型 620ns500?800ns硬件避免上下管直通無需軟件做死區雙路欠壓保護VCC低端電源、VB自舉懸浮電源都帶欠壓鎖存電壓不足自動關閉輸出硬件關斷SD低電平有效無論 IN 信號是什么強制 HO、LO 輸出低電平實現快速硬件保護關斷VCC 供電范圍10?20V典型 15VSOP?8RoHS 無鉛無鹵。二、引腳定義引腳名稱類型功能說明1VCC電源芯片供電10?20V就近接 0.1μF 高頻去耦電容到 GND2IN輸入PWM 邏輯輸入1→HO 高、LO 低0→HO 低、LO 高內置 200k 下拉3SD輸入硬件關斷低電平有效1 芯片允許工作0 強制 HO/LO 全部拉低內置 200k 下拉4GND地芯片功率地5LO輸出低端 MOS 柵極驅動輸出下管6VS信號高端懸浮地接半橋中點上下 MOS 連接點7HO輸出高端 MOS 柵極驅動輸出上管8VB電源自舉懸浮電源VS?VB 之間接自舉電容VCC?VB 接自舉二極管三、邏輯真值表INSDHO (上管輸出)LO (下管輸出)工作狀態X000硬件關斷上下管全部關閉0101下管導通上管關斷1110上管導通下管關斷重點SD優先級最高。MCU 上電建議先置SD0初始化完成后再拉高SD避免上電瞬間 MOS 誤開啟。四、內部結構與工作原理芯片內部模塊輸入緩沖帶 200k 下拉→邏輯與死區控制電路→欠壓檢測VCC、VB→電平位移把邏輯電平抬到懸浮 600V 域→脈沖濾波→兩路圖騰柱輸出驅動器。自舉電路原理最關鍵外圍只給芯片一路 VCC 供電依靠自舉二極管 D3 自舉電容 Cboot產生上管懸浮電源 VB下管導通LO 高VS 電位被拉到接近 GNDVCC 通過自舉二極管給自舉電容充電電容兩端電壓≈VCC。上管導通HO 高VS 抬升到高壓母線電壓電容儲存電壓維持 VB 相對于 VS 的驅動電壓驅動高端 N?MOS 柵極。器件選型提示自舉二極管必須選快恢復二極管自舉電容優先 C0G/NP0 高頻電容容值根據 MOS 管柵電荷 Qg 選取。2.死區時間 DT內部硬件生成死區在上下管切換時插入幾百 ns 間隔防止半橋直通燒毀功率管典型 DT620ns不需要軟件設置死區。3.欠壓保護 UVLOVCC 欠壓開啟 8.6V關斷 8.1V。當 VCC 低于關斷閾值芯片鎖存關閉 HO、LO 輸出。VB 自舉電源欠壓開啟 7.8V關斷 7.6V當自舉電容電壓跌落過低關閉上管輸出保護 MOS 驅動不足。五、關鍵電氣參數TA25℃、VCC15VCL1nF參數典型值備注輸入高電平 VIH≥2.8VMCU 輸出高電平必須≥2.8V 才能識別 1輸入低電平 VIL≤1.5V開通延時 Ton800nsIN 到 HO/LO 輸出開通延時關斷延時 Toff160nsIN 到 HO/LO 關斷延時上升時間 Tr75ns輸出上升沿 10%?90%下降時間 Tf35ns輸出下降沿 90%?10%死區 DT620nsCL0 條件下靜態 Icc100μA輸入懸空時芯片電流拉 / 灌電流0.3A /0.6A柵極充放電峰值電流極限參數VB 最高 600VVCC 最大 20V工作溫度?40~125℃。六、應用場景無刷電機半橋驅動、變頻水泵DC?DC 變換器、高壓快充開關電源無線充電功率驅動高壓 Class?D 音頻功放。七、PCB 與設計注意事項VCC 引腳就近放置 0.1μF 高頻去耦電容直接到 GND減小噪聲HO、LO 到 MOS 柵極走線盡量短柵極串聯電阻 Rg10?50Ω抑制柵極振鈴MOS GS 之間可并聯 10k?20k 泄放電阻自舉二極管、自舉電容靠近 VB、VS 引腳減小環路VS 節點是高壓浮動節點和 GND 之間注意絕緣爬距SD上電初始為低電平IN 懸空時內置下拉自動關閉輸出但是工程上建議 MCU 引腳不要懸空芯片最大 500kHz高頻應用注意總延時TonToff對 PWM 精度的影響。八、對比 IR2104EG2104M 為國產兼容型號SOP8 引腳兼容區別EG2104M 是單 IN 輸入 獨立 SD 硬件關斷腳IR2104 為 HIN/LIN 雙輸入邏輯替換時要修改邏輯控制方式利用 SD 做硬件保護成本更低。局限拉電流僅 0.3A適合中小 Qg 的 MOS驅動大柵電荷 MOS 時要注意開關損耗必要時加大柵極驅動電壓或選擇驅動電流更大芯片。