：Rapidus 2HP：邏輯密度237.31 MTr/mm2，與臺積電N2的236.17 MTr/mm2相當；2027財年下半年量產，初期6000片/月，一年內提升至2.5萬片/月High-NA EUV：NA從0.33→0.55，可分辨8nm特征，量產窗口2027-2028年，Intel 14A為首個插入點；金屬氧化物光刻膠的LER與缺陷率是經濟性閘門HBM4混合鍵合：SK海力士12層驗證完成、正提升良率為量產準備，16層堆疊HBM逐步商業化落地過程中混合鍵合有望從2026下半年至2027年規模化導入，但成本效益仍面臨挑戰，MR-MUF繼續并用；JEDEC放寬HBM高度至775μm，混合鍵合大規模普及推遲至HBM5世代三星SF2Z：2027年推出搭載背面供電技術的SF2Z版本；SF2良率已突破60%編號3805：2nm GAA納米片溝道取向與遷移率各向異性協同模型（模型）—— 材料+設計編號類型領域問題數學分析及數學物理分析及數學化學分析（含多數學工具推理）定律/理論逐步推理的數學表達式及參數設計